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導通后的電壓降大，晶閘管或兩相控制硅的正向壓降可達1~2V,大功率晶體管的飽和壓降也在1~2V之間，指南 普通功率FET的導通電阻也大于機器觸點的導通電阻。在半導體器件關(guān)閉后，仍可能存在幾微安到幾毫安的漏電流，這是一個無法到達目的的電氣斷開。由于管電壓降大，導通后的功耗和發(fā)熱也很大，并且大功率固態(tài)繼電器的體積大于相同容量的電磁繼電器的體積，并且 本錢也很高。

電子元件和電子電路的溫度特性抗干擾才能差，耐輻射性差。 假如不采取有用的措施，牢靠性很低。固態(tài)繼電用具有更大的過載延遲，并且快速熔斷器或RC電阻器電路過載。 固態(tài)繼電器的負載與環(huán)境溫度有關(guān)。 當溫度降低時，負載功率將靈敏降低。重要的缺陷是存在導通電壓降（需求響應散熱步驟），關(guān)斷狀態(tài)漏電流，AC / DC不能通用，接觸組數(shù)量少，其他過流， 過電壓和電壓恢復率，電流恢復率等候目的差別。

馬弗爐用于特殊烘烤過程?？捎糜陔娮釉退芰匣ぎa(chǎn)品的老化實驗，以及工具和鐵的預熱，淬火，熄滅，燜煮，退火，灰化實驗，精煉等高熱處置實驗。適用于煤炭，電子，電力，化工，冶金，水泥，陶瓷，機械，建材，耐火資料，特種資料，新數(shù)據(jù)開發(fā)，地質(zhì)勘探，醫(yī)學研討等職業(yè)的工業(yè)剖析，測試和消費。