半導體制程的各個階段，晶圓表面必須做到平坦（經(jīng)過平坦化處理）。這樣做是為了去除多余的材料，或者為添加下一層電路特征創(chuàng)建一個平坦的基礎(chǔ)。為達成此目的，芯片制造商使用一種名為化學機械平坦化（CMP）的工藝。

CMP保持環(huán)是在CMP（化學機械拋光）工藝中用于固定晶圓的部件。它的主要作用是將邊緣的拋光墊和晶圓以下的拋光墊壓平到同一高度，從而解決拋光過程中可能出現(xiàn)的“過磨"問題。同時，研磨液通過保持環(huán)上的溝槽輸送到拋光墊和晶圓之間的界面，以提高晶圓的去除率均勻性。

為了滿足這些要求，CMP保持環(huán)需要具有高耐磨、耐腐蝕、低振動、穩(wěn)定性和高純凈度等特性。保持環(huán)材質(zhì)的選擇對CMP工藝的成本、保持環(huán)的壽命以及磨損、振動和表面粗糙度等方面都有影響。

常見的CMP保持環(huán)材料包括PPS、PEEK、PET-P、PAI等，這些材料經(jīng)過改性處理，性能更加*。選擇適合的材料可以提高CMP保持環(huán)的性能，延長其使用壽命，減少工藝成本，確保拋光過程的穩(wěn)定性和可靠性。